【资料名称】：中兴4G二期产品 及建设方案介绍
【资料作者】：中兴
【资料日期】：2014年3月
【资料语言】：中文
【资料格式】：PDF
【资料目录和简介】：
4G二期TD-LTE产品介绍F+D协同组网方案深度覆盖应用方案
F+D协同组网方案
深度覆盖应用方案
部分内容：
4G二期产品性能总结
8通道/2通道60M设备：大功率、高带宽、满足中移一步到位的频谱组网要求，并率先通过中移60M带宽性能测试
R8978 S2600W支持8*25W的发射功率，可支持D频段S333站型需要，发射功率业界最高；
R8972E S2600W支持2*60W的发射功率，可支持D频段S333站型需要，发射功率业界最高；
R8978 S2600W、R8972E S2600W完全满足中移测试中对ACLR和ACS的邻频性能挃标要求；同时，在中移和电信LTE频谱无过渡带保护的组
网下，时隙同步配置也将成为规避运营商间干扰的必要手段。
R8978 S2600W 、R8972E S2600W体积小、重量轻，相同体积重量下的载频带宽是业界其他厂家的2倍，有效提升施工效率
Nanocell：体积、重量最小，集成度最高，满足室内深度覆盖，并率先在沈阳完成外场验证和中移研究院验收
BS8102 T2300作为业界最早推出的Nanocell支持Wifi/TD-LTE双模、支持2x2 MIMO，大大优化频谱效率，幵提升网络上行性能；
一体化微站：有效解决机房受限快速低成本补盲补热
D频段BS8912/R T2600一体化微站/中继站支持60M带宽和本期推出的BS8912/R T1900 F频段一体化微站/中继站，支持天线一体化，主要应
用亍D频段和F频段覆盖扩展及边缘容量提升场景
E频段两通道高功率RRU
R8972E S2300W 支持2*60W的发射功率，支持TDS/TDL双模应用，功率更高利亍室内覆盖提升
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